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基本培养基、生长调节剂的种类及浓度等因素对霍山石斛组培苗的生长、继代增殖、生根及开花进行了试验,以不断丰富霍山石斛快繁技术。结果表明:丛生芽诱导增殖的最佳培养基为1/2MS+0.5mg/L6-BA+0.25mg/L NAA,p H值5.6;促进芽生根的最佳培养基为1/2MS+0.5mg/L IBA,p H值5.6;促进组培苗开花的最佳培养基为MS+1mg/LKT+0.2mg/L NAA,p H值5.8;组培苗移栽的最佳基质为腐树皮加兰花石(2:1)。