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为提高硅片抛光质量与效率，利用均相沉淀法制备CeO2／SiO2复合磨粒，配制绿色环保水基型抛光液对硅片进行化学机械抛光，研究pH值、抛光时间、抛光速度、抛光压力等抛光工艺参数对硅片抛光性能的影响。结果表明：随抛光液pH值增加，材料去除率相应增大；材料去除率在一定时间范围内随抛光时间增加而下降；材料去除量随抛光速度、抛光压力的增加均先增大后减小。推测CeO2／SiO2复合磨粒抛光机制为由于水合作用，在硅片表面形成一层易于磨削的软质层。