【摘 要】
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利用粉末冷压成型及真空烧结制备了不同Bi掺杂量的Mg-Si-Sn-Bi材料,并对制备材料组成和热电性能进行研究。结果表明,制备材料由Mg2Sn、Mg2Si和Mg2（Si,Sn）固溶体相组成。随测试
【机 构】
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沈阳工业大学材料科学与工程学院,沈阳理工大学装备工程学院
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利用粉末冷压成型及真空烧结制备了不同Bi掺杂量的Mg-Si-Sn-Bi材料,并对制备材料组成和热电性能进行研究。结果表明,制备材料由Mg2Sn、Mg2Si和Mg2（Si,Sn）固溶体相组成。随测试温度的增加,制备材料的电阻率都急剧减小,这是典型的半导体特征。在研究范围内,掺杂Bi元素含量增加,制备材料的电阻率开始逐渐减小,但Bi掺杂量增加到一定值后,材料的电阻率又增加,而且掺杂后的材料电阻率都低于未掺杂的。制备材料的Seebeck系数是负值,表明这些材料都为n型半导体。对于掺杂Bi的材料,随着测试温度由室
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