【摘 要】
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集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)具有通态损耗低、通流能力强等优势,且具有进一步发展的潜力,适合于模块化多电平变换器(modular multilevel
【机 构】
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中国长江三峡集团有限公司科学技术研究院,电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室（清华大学）
【基金项目】
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中国长江三峡集团有限公司科研项目(WWKY-2019-0213),清华大学自主科研计划资助(2019Z08QCX17)
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集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)具有通态损耗低、通流能力强等优势,且具有进一步发展的潜力,适合于模块化多电平变换器(modular multilevel converter,MMC)的应用场合。本文描述了平均值等效的方法应用于基于IGCT器件的MMC的损耗评估原理与计算方法。尤其是针对IGCT器件、缓冲电路和取能电源等部分损耗给出了详细的分析。在此基础上,给出了算例,并与模拟实际投切过程进行仿真计算的结果进行了对比,验证了所述方法的准
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