【摘 要】
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采用电吸收谱(EA)的方法研究了在电场作用下,CdS0.1Se0.9纳米晶体光学性质的变化.分析了电场效应的物理机制,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动.第一激发态对外加电场
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采用电吸收谱(EA)的方法研究了在电场作用下,CdS0.1Se0.9纳米晶体光学性质的变化.分析了电场效应的物理机制,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动.第一激发态对外加电场敏感,而其它激发态不敏感.从电吸收谱上得到电光响应信号幅度与外加电场场强的平方成正比,表明纳米晶体的电光效应是Kerr效应,具有三阶非线性极化率χ(3).
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