磷化镝与磷化镱的光学性质和电学性质

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用X射线衍射法确定了DyP和YbP的晶体结构,研究了它们的吸收光谱。得出其禁带宽度分别为1.15eV和1.30eV,电阻率为~10~(-2)Ω-cm,载流子浓度约10~(18)~10~(19)cm~(-3),霍尔迁移率8.5—80cm~2/V·s。它们与P型Si有明显的整流效应,表明形成了DyP/Si和YbP/Si异质结。文中提出了它们的可能能带图,解释了它们的光学性质和电学性质。 The crystal structures of DyP and YbP were confirmed by X-ray diffraction and their absorption spectra were studied. The results show that the band gap is about 1.15eV and 1.30eV respectively, the resistivity is ~ 10 ~ (-2) Ω-cm and the carrier concentration is about 10 ~ (18) ~ 10 ~ (19) cm ~ (-3) , Hall mobility 8.5-80cm ~ 2 / V · s. They have a significant rectifying effect with P-type Si, indicating the formation of DyP / Si and YbP / Si heterojunction. The paper presents their possible band diagrams, explaining their optical and electrical properties.
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