双掺硅单晶基本物理特性的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shijun3541
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按一定掺杂比例制备了一种双掺硅单晶.单晶片经热处理后形成的P-N结具有结深浅、均匀、杂质浓度分布不同于扩散结和离子注入结等特点.本文研究了这种双掺硅单晶的基本物理特性;测量了各种电学参数和进行了位错等晶体缺陷的金相观察,并将这种材料与单掺杂硅单晶的某些电学性质进行了比较. According to a certain doping ratio, a double-doped silicon single crystal is prepared.The single-chip PN junction formed by heat treatment has the characteristics of shallow and even junction, different impurity concentration distribution from diffusion junction and ion implantation junction etc. In this paper, The basic physical properties of silicon-doped single crystals were measured. Various electrical parameters were measured and metallographic observations of the crystal defects such as dislocations were performed. Some of these materials were compared with some of the electrical properties of single-doped silicon single crystals.
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