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本文利用电弧等离子体蒸发制备了纳米Ｓｉ纤维，通过沉积温度场的调节，确定了纤维的最佳沉积温度约６００℃，同时表征了纤维的生长过程，在一定的温度下，Ｓｉ团聚体颗粒间的“颈连接”及颗粒表面的非晶层是导致团聚体自扩散和表面扩散一维生长的直接条件。
Si纳米纤维的等离子体制备工艺
【摘 要】
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本文利用电弧等离子体蒸发制备了纳米Ｓｉ纤维，通过沉积温度场的调节，确定了纤维的最佳沉积温度约６００℃，同时表征了纤维的生长过程，在一定的温度下，Ｓｉ团聚体颗粒间的“颈连接”及颗粒表面的
【机 构】
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中国科学院金属研究所,110015
【出 处】
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金属学报
【发表日期】
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1997年9期
【基金项目】
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国家自然科学基金!10015940201
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