界面极化层引起P(VDF-TrFE)电容器的电容-电压的不对称

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wzy_shun

【摘要】

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通过研究Au/P(VDF-TrFE)/Al电容器的变温(200 K到310 K)电容-电压曲线,室温下观察到两个极化方向下的电容不对称,这个现象可以应用于非挥发性存储器.电容不对称程度随着温度

【作者】

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刘伯路田博博赵晓林王建禄孙硕沈宏孙璟兰孟祥建

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083中国科学院大学,北京 100049;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

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2016年2期

【关键词】

：

P(VDF-TrFE) 电容器存储畴壁

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通过研究Au/P(VDF-TrFE)/Al电容器的变温(200 K到310 K)电容-电压曲线,室温下观察到两个极化方向下的电容不对称,这个现象可以应用于非挥发性存储器.电容不对称程度随着温度的降低而变小,当温度低于230 K,电容不对称现象消失.P(VDF-TrFE)与Al电极之间的界面极化层可以解释观察到的电容不对称现象.

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