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优化双沟4H—SiCMESFET结构，通过求解一维和二维泊松方程，建立优化结构的解析模型，分析这种结构的直流和交流特性．结果表明，饱和电流密度的计算结果与实验一致，结构优化后4H—SiCMESFET的饱和电流密度和击穿电压分别为420μA·μm^-1和155V，明显高于优化前的275μA·μm^-1和141V；最高输出功率密度为7．4W·mm^-1，比优化前提高约64％；截止频率和最高振荡频率比优化前略微提高．双沟结构经优化后其交流小信号特性未退化而功率特性获得明显改善．