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一维(1D)半导体纳米线在纳米电子学和纳米光子学中表现出色。然而,纳米线晶体管的电特性对纳米线与衬底之间的相互作用非常敏感,而优化器件结构可以改善纳米线晶体管的电学和光电检测性能。本文报道了通过一步式光刻技术制造的悬浮式In_(2)O_(3)纳米线晶体管,显示出54.6 cm^(2)V^(−1)s^(−1)的高迁移率和241.5 mVdec^(−1)的低亚阈值摆幅。作为紫外光电探测器,光电晶体管显示出极低的暗电流(~10−13 A)和高响应度1.6×10^(5) A•W^(−1)。悬浮晶体管的沟