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用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应.
GaAs／Si／AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
【摘 要】
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用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由
【机 构】
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北京师范大学物理学系,中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京师范大学分析测试中心
【出 处】
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北京师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2002年4期
【基金项目】
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教育部高校骨干教师资助计划
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