一种改进的硅片薄层电阻及其均匀性表征方法

来源 :稀有金属 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lgyangell

【摘要】

：

概述了微区电阻测试方法及其均匀性表征方法的应用,利用自主研制的斜置式方形四探针微区薄层电阻测试仪,对P型硅芯片进行了无图形Rymaszewski法测试,在3寸芯片上测试了598个3

【作者】

：

刘新福刘东升孙以材

【机构】

：

河北工业大学微电子技术与材料研究所

【出处】

：

稀有金属

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

Rymaszewski法等值线图薄层电阻 rymaszewski method equal-value-line maps sheetresistanc

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概述了微区电阻测试方法及其均匀性表征方法的应用,利用自主研制的斜置式方形四探针微区薄层电阻测试仪,对P型硅芯片进行了无图形Rymaszewski法测试,在3寸芯片上测试了598个366 μm×366 μm 方形微区的薄层电阻,并用等值线图表示了其分布,得到了薄层电阻的不均匀度及平均值,这种微区薄层电阻表示方法适用于评价材料质量及改进制造工艺.

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