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ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，带隙约为3．35eV。近几年来，纳米结构ZnO材料引起了人们的广泛兴趣。它作为发光材料、太阳能电池窗口材料，以及在其他电子器件领域有着广阔应用前景。本文简要综述了ZnO纳米材料的制备方法、结构特征、及应用前景.
ZnO纳米材料制备及其应用研究进展
【摘 要】
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ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，带隙约为3．35eV。近几年来，纳米结构ZnO材料引起了人们的广泛兴趣。它作为发光材料、太阳能电池窗口材料，以及在其他电子器件领域有着广阔应用前
【机 构】
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郑州大学工程力学系,郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
【出 处】
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中国材料科技与设备
【发表日期】
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2006年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（60478022）,教育部科学技术重点项目（205091）,河南省自然科学基金项目（0411012000）
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