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高速调制半导体激光器光源是光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。高速激光器的寄生电容是影响其调制带宽的因素之一。为了减小寄生电容，针对脊波导结构激光器的电容，采用计算机模拟与实际测试相结合的方法，进行了理论分析和实验验证。结果表明，其寄生电容大小不仅与电极金属化面积有关，还与隔离沟的腐蚀深度有关。当腐蚀至波导层时，寄生电容减小到10pF以下。这一结论对实现激光器的高速调制是非常有意义的。