【摘 要】
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设计了一种用于超低功耗线性稳压器电路的基准电压源。研究了NMOSFET阈值电压的温度特性，通过耗尽/增强型电压基准结构，显著降低功耗；采用共源共栅型结构，提高电源抑制比；设计了数
【基金项目】
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中央高校基本科研业务费专项资金项目(310824173401)
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设计了一种用于超低功耗线性稳压器电路的基准电压源。研究了NMOSFET阈值电压的温度特性，通过耗尽/增强型电压基准结构，显著降低功耗；采用共源共栅型结构，提高电源抑制比；设计了数模混合集成熔丝修调网络，优化输出电压精度及温漂。基于0.35 μm CMOS混合信号工艺实现，仿真结果表明，在2.2 V～5.5 V的输入电压下，基准电压为814 mV，精度可达到±1%；在-40℃～125℃的温度范围内温漂系数为25.2 ppm/■；低频下电源抑制比为-99.17 dB，基准源的静态电流低至27.4 nA。
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