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通过对SiO2:Nd的PL谱分析,并与SiO2:La、SiO2:Ce、Si+→SiO2、C+→SiO2等的PL谱进行比较,总结出薄膜光致发光的一些特性.
掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究
【摘 要】
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通过对SiO2:Nd的PL谱分析,并与SiO2:La、SiO2:Ce、Si+→SiO2、C+→SiO2等的PL谱进行比较,总结出薄膜光致发光的一些特性.
【机 构】
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井冈山师范学院物理系,南昌大学物理系
【出 处】
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井冈山师范学院学报
【发表日期】
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2002年5期
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