多胞MOSFET器件的射频建模和参数提取

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ydaf5hv2

【摘要】

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对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中,根据可缩放规律,由传统模型的参数推

【作者】

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周影于盼盼高建军

【机构】

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华东师范大学信息科学技术学院电子工程系

【出处】

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红外与毫米波学报

【发表日期】

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2017年5期

【关键词】

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半导体技术小信号模型模型参数提取趋肤效应多胞模型 semi-conductor technology small-signal model para

【基金项目】

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Supported by the National Natural Science Foundation of China（61474044）

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对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中,根据可缩放规律,由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8×0.6×12μm（栅指数×栅宽×元胞数量）、栅长为90 nm的MOSFET器件在1~40 GHz范围内的建模,测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合.

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