不同pH值下ZTS晶体(100)面台阶生长动力学规律和位错缺陷的研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhouheng19850
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通过利用光学显微镜,对不同pH值下ZTS晶体(100)面的台阶推移过程进行了实时观察,发现在同一过饱和度下,调高生长溶液的pH值会导致台阶推移速率降低;而调低pH值时,台阶的平均推移速率增大,当pH=4.2时,(100)面生长速度最快。计算出不同pH值下的台阶动力学系数βl和台阶活化能E的数值。对不同pH值下生长出的ZTS晶体的(100)面进行了位错缺陷观察,发现pH=4.2时,位错密度较低,有利于晶体生长质量的提高。
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