【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜，然后经过不同温度的热退火处理，获得硼掺杂纳米硅薄膜．结果表明，退火温度为700℃时，样品中开始有纳米晶形成，随着退
【机 构】
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韩山师范学院物理与电子工程系,华中师范大学物理科学与技术学院
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采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜，然后经过不同温度的热退火处理，获得硼掺杂纳米硅薄膜．结果表明，退火温度为700℃时，样品中开始有纳米晶形成，随着退火温度的增加，在1000℃时，薄膜的晶化率达到77％，晶粒大小为3．9nm．退火温度低于600℃时，光学带隙随着退火温度的升高而变窄，高于600℃时，带隙随着退火温度的升高而展宽，对此讨论了缺陷态和晶化度对样品光学带隙的影响．
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