NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的制备及性能

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采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜。探讨了溅射功率与溅射时间对薄膜磁性能的影响,发现当溅射功率为250W,溅射时间为4min时,垂直膜面方向矫顽力为272.8kA·m^-1,剩磁矩形比达到0.801,可以较好地满足高密度垂直磁记录的要求。研究了Nd掺杂对薄膜磁性能与磁光性能的影响,发现随着Nd掺杂量的增多,薄膜的矫顽力从413.8下降为210.9kA·m^-1,饱和磁化强度与克尔旋转角则分别从144kA·m^-1和0.2720°上升
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