【摘 要】
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为发展高效率硅发光器件和硅基集成电路技术正付出很大努力^[1]。尽管研究了几种途径^[1-6]，最近都受到低发射效率的困扰，在0．01％－0．1％范围就是高值^[2]。本文报道的硅发光二极管功
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为发展高效率硅发光器件和硅基集成电路技术正付出很大努力^[1]。尽管研究了几种途径^[1-6]，最近都受到低发射效率的困扰，在0．01％－0．1％范围就是高值^[2]。本文报道的硅发光二极管功率转换效率有很大增长，在室温附近达到1％以上，接近十余年前典型直接禁带发射器^[7,8]的值。该器件基于普通的单光子和双光子辅助次禁带弱光发射过程，通过把位于有关的次禁带波长的吸收最小化，同时减小二极管内寄生无辐射复合的作用范围，利用了光吸收和光发射的交互作用。上述两个特征分别表明发射效率改善10倍，得到的效率较基线
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