【摘 要】
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随着电子器件微型化、集成化和柔性化技术的发展,NiFe薄膜器件与人体及其它器件集成化的过程对NiFe薄膜在不同基片,特别是几何弯曲基片上的异质生长提出了新的需求。本文研究
【机 构】
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苏州大学物理科学与技术学院,贵州雅光电子科技股份有限公司,电子科技大学
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随着电子器件微型化、集成化和柔性化技术的发展,NiFe薄膜器件与人体及其它器件集成化的过程对NiFe薄膜在不同基片,特别是几何弯曲基片上的异质生长提出了新的需求。本文研究了生长在聚乳酸(PLA)基片上Ni81Fe19薄膜的磁学性能,研究了基片的弯曲方向、弯曲程度和弯曲次数对薄膜磁性的影响。结果表明NiFe薄膜的磁性主要受基片弯曲带来的几何形状的影响。薄膜的矫顽力随弯曲半径的增加而增加,薄膜的弯曲半径可以小于1.5 mm。随着弯曲次数的增加,薄膜的矫顽力在略微增加后保持稳定,薄膜的最大弯曲次数可以达到200
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