论文部分内容阅读
有关GaN和富Ga的InGaN薄膜中的位错和极性已有TEM研究,而InN和富In的InGaN薄膜却少见报道.研究InN薄膜中的缺陷和极性对生长高质量的InN薄膜很有意义.本文用TEM研究在c面蓝宝石上分子束外延生长的InN(760nm)/GaN(245nm)/AlN(14nm)薄膜中的穿透位错和极性.它们的取向关系为(0001)InN//(0001)GaN//(0001)AlN//(0001)α-AlO3和[11 20]InN//[11 20]GaN//AlN//[1 -100]α-Al2O3。