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探讨三价阳离子（Mx^3+=Sb,Y,Nd,La,x=0.02-0.06)固溶于（Sr,Ca）TiO3瓷晶相中，产生缺位补偿的A缺位（VA）点缺陷结构及其介电性能关系。A缺位浓度[VA]取决于M^3+的A位或B位取代情况，M^3+只取代A粒[(Sr,Ca）1－xMx(VA)x/2）TiO3或M^3+只取代B位[（Cr,Ca）1－x/s(VA)x/s](Tix-xMx)O3，产生A缺位浓度[VA]较大，对其资料介电性能影响较明显；M^3+同时取代A和B位[(Cr,Ca）]10x1Mx](Ti1-x2Mx2)