SiO2基底Nb原位掺杂MoS2纳米薄膜的制备及场效应

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【摘要】

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以氧化钼(MoO3)、硫(S)和氯化铌(NbCl5)作为前驱体,利用一锅两步化学气相沉积法,在SiO2基底上大面积地生长连续性好、均匀负载的Nb-MoS2薄膜结构。通过扫描电子显微镜(SEM)和

【作者】

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孙钰琨白波马美玲王洪伦索有瑞谢黎明柴禛

【机构】

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长安大学旱区地下水文与生态效应教育部重点实验室,中科院西北高原生物研究所,国家纳米科学中心

【出处】

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材料导报

【发表日期】

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2019年12期

【关键词】

：

二维薄膜材料过渡金属硫化物化学气相沉积法(CVD) 拉曼光谱光致发光光谱场效应晶体管 two-dimensional filmstransition-m

【基金项目】

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国家自然科学基金(21176031),中央高校基本科研项目(591310829172201,310829172202,310829175001,310829165027).

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以氧化钼(MoO3)、硫(S)和氯化铌(NbCl5)作为前驱体,利用一锅两步化学气相沉积法,在SiO2基底上大面积地生长连续性好、均匀负载的Nb-MoS2薄膜结构。通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征可知薄层具有较好的连续性,同时使用拉曼光谱(Raman)、光致发光光谱(PL)和X射线光电子能谱(XPS)证实了掺杂后薄膜内部出现高达90meV的蓝移现象。将薄膜制成场效应管(FET),并对其电学性能进行测试得出,场效应迁移率为1.22cm^2·V^-1·s^-1,电流

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