【摘 要】
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以马赫泽德干涉光路结构为基础,采用电光材料的光学相控技术产生用于光学形貌测量的干涉投影条纹。为了研究电光晶体作为光学相控器件的相位调制误差对干涉条纹质量的影响,建
【机 构】
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华北理工大学电气工程学院,精密测试技术及仪器国家重点实验室天津大学
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（No.51505125）,河北省自然科学基金面上项目（No.E2013209266）,河北省高等学校科学技术研究项目（No.QN2013114）,精密测试技术及仪器国家重点实验室开放基金项目（No.PIL1301）资助
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以马赫泽德干涉光路结构为基础,采用电光材料的光学相控技术产生用于光学形貌测量的干涉投影条纹。为了研究电光晶体作为光学相控器件的相位调制误差对干涉条纹质量的影响,建立了电光晶体对干涉条纹质量的模型,分析晶体折射率、平面度与波前调制的关系及其对干涉条纹质量的影响。仿真结果表明,电光晶体调制误差会影响干涉条纹质量。理想平面度下晶体折射率的畸变会使干涉条纹变形,折射率离散化阶数直接影响投影条纹的高次谐波成分,甚至导致投影条纹严重失真;折射率理想的情况下,晶体平面度的差异也会造成干涉条纹不同程度的形变。
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