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根据冷中子源及其后续中子导管的布局与参数，采用蒙特卡罗方法模拟计算了中子三轴谱仪的输入谱，获得了中子束均匀性、发散度及注量率等参数。模拟结果表明：冷源与导管人口间距离L不宜小于0.1m，在距离为0.5m时导管出口处注量率达到最大3.96×10^8cm^-2s^-1。；中子注量率及发散度均随导管超镜因子m增大而增大，m值由1.5增大到3后，其水平方向的发散度几乎不变，垂直方向最大发散度增大约87.7％，注量率增大25％；垂直方向和水平方向的发散均可以用高斯分布来描述，但水平方向的发散伴有离散峰；在