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针对电流存储单元电路中存在的电荷注入误差,提出一种新的注入误差消除方法,该方法能够消除由电荷注入效应引起的输入信号相关误差及直流偏置.设计了一种具有极低电荷注入误差的甲乙类开关电流存储单元电路.采用上华半导体有限公司（CSMC）的5 V,0.6μm双层多晶双层金属互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺对存储单元进行设计.模拟结果表明：改进后的存储单元可工作在2.5~5 V电压条件下;在输入频率为500 kHz,幅度为50μA正弦电流,采样信号频率10 MHz条件下,输出电流的误差仅为未采用补偿方案的单元电