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Er<sup>3+</sup>离子内部能发射4f辐射,其波长为1.54μm,这是一个标准电讯波长,因而在薄膜集成光电子技术中采用含Er<sup>3+</sup>离子的材料是非常适合的。使用光通讯技术能够得到较宽的频带宽度,而且该种材料的数据信息转换速率比目前使用电子材料的通讯技术的转换速率大几个数量级。在不久的将来,掺铒硅发光二极管将用于硅基光电子电路中。 荷兰阿姆斯特丹原子和分子物理研究所A.Polman撰写的一篇评论文章中介绍了几