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建立了一种2×2α-A12O3(0001)基片表面吸附ZnO模型,在周期边界条件下的κ空间中,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法,对α-A12O3(0001)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算研究。由于较大的表面弛豫,使得氧原子全部暴露于基片最外表面,明显地表现出O原子电子表面态;驰豫后的表面能对ZnO分子产生较强的化学吸附,表面电子结构将发生明显的变化,其表面最优吸附生长点的方位正好偏离α-A12O3(0001)表面氧六角对称30°;并计算了这