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本文报道了以1.06μm调QNd:YAG激光脉冲,采用简并四波混频的方法,在未掺杂的GaAs单晶中产生红外位相共轭短脉冲。研究了该光脉冲的主要特性。用实验的方法探讨了影响共轭光强弱的主要因素。
砷化镓晶体中的四波混频
【摘 要】
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本文报道了以1.06μm调QNd:YAG激光脉冲,采用简并四波混频的方法,在未掺杂的GaAs单晶中产生红外位相共轭短脉冲。研究了该光脉冲的主要特性。用实验的方法探讨了影响共轭光强
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1991年3期
【基金项目】
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上海市自然科学基金
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