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本文主要介绍EIS(Electrolyte—Insulator—Semiconductor)型LAPS(Light Addressable Potentiometric Sensor)中以Pt／LaF3为敏感膜的溶氧敏感单元的物理模型，并用PSPICE模拟了该模型．
EIS型LAPS中Pt／LaF3溶氧敏感单元的物理建模与PSPICE模拟
【摘 要】
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本文主要介绍EIS(Electrolyte—Insulator—Semiconductor)型LAPS(Light Addressable Potentiometric Sensor)中以Pt／LaF3为敏感膜的溶氧敏感单元的物理模型，并用PSPICE模拟了
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院
【出 处】
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南开大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2004年1期
【基金项目】
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国家科学基金资助项目 ( 60 1 760 2 8)
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