基板温度对电子束沉积LaF3薄膜残余应力的影响

来源 :曲阜师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangliu349

【摘要】

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采用电子束沉积的方法,分别在K9玻璃基片上制备了LaF3单层膜.研究了基板温度对LaF3薄膜残余应力的影响;基板温度从200℃上升到350℃,间隔为50℃.利用ZYGO干涉仪测量了基板镀

【作者】

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郝殿中韩培高马丽丽苏富芳宋连科

【机构】

：

山东省激光偏光与信息技术重点实验室

【出处】

：

曲阜师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2011年1期

【关键词】

：

光学薄膜基板温度残余应力电子束沉积 LaF3

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采用电子束沉积的方法,分别在K9玻璃基片上制备了LaF3单层膜.研究了基板温度对LaF3薄膜残余应力的影响;基板温度从200℃上升到350℃,间隔为50℃.利用ZYGO干涉仪测量了基板镀膜前后的面型变化,利用Stoney公式计算出残余应力;分析结果表明：在本实验条件下,残余应力为张应力,随基板温度的增加,有增大的趋势.

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