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通过红外热相分析发现，在直流工作条件下，双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上；在微波工作条件下，双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43．7℃。试验结果表明，双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片内微波输入功率和结温分布的均匀性。
双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善
【摘 要】
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通过红外热相分析发现，在直流工作条件下，双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上；在微波工作条件下，双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43．7℃。试
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2008年3期
【基金项目】
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参加本课题研究的还有周德红、刘雪、钱伟、丁晓明、庸安明、陈正艳、潘菁、梅海和李春等同志,在此表示感谢.
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