论文部分内容阅读
本文利用多通道量子亏损理论（MQDT）,分析了Al II受干扰序列1P10的能级结构。分析表明,主序列3snp1P10受到了来自双激发态3p4s1P10的强烈干扰。这种相互作用使3p4s1P10分布到整个3snp1P10之中,而不再对应于一条单独的谱线。利用拟合能级实验数据所得的MQDT参数,计算了序列3snp1Pλθ中n≤50的能级。对于已测得的能级,计算结果与实验值符合得很好。