【摘 要】
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提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器．该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LD0（低压差线性稳压器）低频电源纹波抑制的能力．在TSMC0．18μmCMOS工
【机 构】
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南开大学电子信息与光学工程学院,中国科学院微电子研究所
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提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器．该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LD0（低压差线性稳压器）低频电源纹波抑制的能力．在TSMC0．18μmCMOS工艺下进行了仿真验证，仿真结果表明，该LDO最大负载电流可以达到80mA，当负载电流在O～80mA范围内变化时，开环相位裕度均大于64°，证明了低压差线性稳压器的高稳定性．当负载电流从0mA跳变到80mA时，系统的输出电压过冲仅为15mV，环路响应时间仅为0．5μs．当负载电流为80mA，测得10kHz时的电源纹波抑
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