绝缘层上硅膜—红外区熔再结晶过程中熔区的检测

来源 :传感器技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong510

【摘要】

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硅片上熔区温度的检测,是实现SOI(Silicon-on-Insulator)材料结构的区熔再结晶(ZMR)工艺的技术关键,也是技术难点之一.提供了一种适用于特定实验环境(高频、高压、高温)的具

【作者】

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张鹏飞田果成蔡林钱佩信

【机构】

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清华大学微电子所,北方交通大学光波技术研究所

【出处】

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传感器技术

【发表日期】

：

1993年6期

【关键词】

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再结晶半导体薄膜温度测量 Zone-Meldng-Recryslallization (ZMR) Pyrometer Optic-Fibre

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硅片上熔区温度的检测,是实现SOI(Silicon-on-Insulator)材料结构的区熔再结晶(ZMR)工艺的技术关键,也是技术难点之一.提供了一种适用于特定实验环境(高频、高压、高温)的具有特殊功能(高分辨率、易于瞄准)的光纤测温计,对于提高ZMR工艺的稳定性,可控性和良好的重复性具有重要意义.

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