磁控共溅射法制备ZrRu 薄膜及其电学性能研究

来源 :真空与低温 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rainbow123456789

【摘要】

：

扩散阻挡层的选材是Cu互连工艺研究重点之一,目前在研的阻挡层中,由两种难熔金属组成的二元合金因具有与Si反应温度高、电阻率低、结晶温度高等优点,成为一类极具应用潜力的

【作者】

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孟瑜沈欢宋忠孝畅庚榕

【机构】

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西安文理学院陕西省表面工程与再制造重点实验室,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

【出处】

：

真空与低温

【发表日期】

：

2021年3期

【关键词】

：

磁控溅射 ZrRu薄膜溅射功率微观结构电学性能

【基金项目】

：

陕西省科技计划项目(2020JQ-889,2018JQ5173),陕西省教育厅科技项目(19JS056),西安市科技计划项目(2019KJWL24),西安文理学院大创项目和科研团队(DC2019049、XAWLKYTD013)。

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扩散阻挡层的选材是Cu互连工艺研究重点之一,目前在研的阻挡层中,由两种难熔金属组成的二元合金因具有与Si反应温度高、电阻率低、结晶温度高等优点,成为一类极具应用潜力的阻挡层材料。本文通过磁控共溅射技术在p型Si单晶基底上沉积ZrRu薄膜。利用X射线光电子能谱、X射线衍射、扫描电子显微镜和四点探针测试等表征手段对ZrRu合金膜的化学特性、物相结构、微观形貌和电学性能进行表征分析。研究结果表明,随Ru溅射功率增加,Ru原子百分比增加,薄膜的沉积速率由7.74 nm·min^-1增加到17.

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