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设计了一种采用 0 .2 5 μmCMOS工艺的高精度带隙基准电压源。该电路结构新颖 ,性能优异 ,其温度系数可达 3× 10 - 6 /℃ ,电源抑制比可达 75dB。还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路 ,以保证电路工作点正常、性能优良 ,并使电路的静态功耗较小。
一种高精度的CMOS带隙基准电压源
【摘 要】
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设计了一种采用 0 .2 5 μmCMOS工艺的高精度带隙基准电压源。该电路结构新颖 ,性能优异 ,其温度系数可达 3× 10 - 6 /℃ ,电源抑制比可达 75dB。还增加了提高电源抑制比电
【机 构】
：
华中科技大学图像识别与人工智能研究所
【出 处】
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电子工程师
【发表日期】
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2004年03期
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