核心元器件自主定义分类及关键技术研究

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wxf19860413
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过分析我国核心元器件长期“跟仿”存在的问题,提出自主定义元器件的概念,给出了核心元器件自主定义的分类方法.并结合元器件自主定义分类,给出了实施途径及关键技术,分析了不同等级核心元器件自主定义实现案例,最后给出了开展核心元器件自主定义工作相关建议.
其他文献
在现代工业社会的发展过程中,其创新与进步速度不断提高,这为我国社会创造了极大的物质财富与技术价值,且促进了工业生产相关领域的协同发展步伐.同时,现阶段的工业生产过程已经不再是传统的密集型劳动,其逐步转向于以自动化生产技术为生产工具、以智能化生产模式为生产流程、以信息化管理为运营方案的新时代产业,这一方面代表了我国工业社会的现代发展水平,另一方面也为行业的发展与技术的创新提出了全新的要求.
期刊
在当前全球化发展的社会中,英语能力是每个专业学生都应该掌握的必备技能.有效的英语教学课程的开展,除了要帮助学生掌握基础的专业知识,提升专业英语水平,更要能在就业和实际应用当中提高学生的能力.铸造专业作为工科专业的重要学科,目前该专业的多数标准都是西方国家所创办的,因此掌握必要的英语词汇知识,对铸造专业学生来说有着重要的意义.铸造专业的英语词汇也是具有专业特点和内涵的英语知识,需要掌握更多相关的专业词汇和专业词组才能够更好地理解前沿文献和技术文件等.
期刊
随着我国由制造业大国向制造业强国不断转型,全面推进高技能复合型人才创新创业,逐步扩大社会各领域经济市场和人才市场,逐步打造新的经济增长点,成为全面推动社会经济发展的有效方法.创新创业人才培养不仅是劳动与社会保障部门的工作,而且也是各个企业的工作,企业只有将创新创业教育与人才劳动技能培养深度融合,才能全面强化铸造合金专业人才创新创业能力与劳动技术能力.因此,教育者完全有必要全面推进创新创业教育与劳动技能教育深度融合,全面落实人才培养思想.作为一个特殊行业领域的铸造合金相关专业人才培养则更加值得关注.对此,应
期刊
祝贺《微电子学》创刊五十周年.五十年前,在研制出中国第一块PMOS型大规模集成电路的四川固体电路研究所(现中国电科第二十四研究所),诞生了中国第一个集成电路专业期刊《微电子学》.rn一路走来,《微电子学》记载了中国集成电路科技发展的历程,洞察着集成电路技术发展的前沿轨迹,精细铭刻出芯片制造技术的真知灼见,不懈探索着微电子创新技术和科学规律.
期刊
近年来随着现代社会的发展,消费铸造产品大量丰富,插画作为紧密联系包装与铸造产品的设计表现形式,其独有的艺术表现和深刻内涵意义正日益受到大众的关注,使它在商品的购买中占据了重要的地位.具有现代表现特征的欧美复古插画不仅通过凸显铸造产品的视觉信息内容影响到铸造产品本身的销售,而且对于企业深层次的品牌文化与企业精神都有着很强的作用,让品牌深入人心.另一方面,欧美复古插画使得艺术文化自然地灌注到了铸造产品中去,形成了一种审美引导并引发了具有时代特征的美育过程.在这个最具有大众化的设计领域中,对于艺术审美的引导和教
期刊
近年来,全球科技水平得到了进一步的发展与开拓,各类新兴技术与新兴科技产品层出不穷,这有效地改善了人们生活的方方面面,使生活中的各个细节都得到了充分改良与优化,也让人们正式进入新一轮的技术热潮,即电子信息化世界.在当下这种科技发展背景下,新兴的科技产品不但对人们的日常生活各方面产生了深远影响,也对包括工业设备在内的其他各领域发展得到推动,创造出了极大的物质财富与精神财富.铸造行业作为工业社会中的中流砥柱型产业,在近几十年的发展中已然发生了翻天覆地的变化,其相较于传统生产时期,融入了大量自动化产品、信息化技术
期刊
设计了一种8位2.16 GS/s四通道、时间交织逐次逼近型模数转换器(TI-SAR ADC).单通道SAR ADC采用数据环、异步时钟环的双环结构实现高速工作.采用带复位开关的动态比较器缩短量化时间,提高比较精度.结合反向单调切换时序,逐步增大共模电压,提升量化速度.基于55 nm CMOS工艺设计,后仿真结果表明,在1.2V电源电压下,该TI-SAR ADC消耗42.6 mA电流,在奈奎斯特输入频率下,FOM值为212 fJ/(conv.step),信噪失真比(SNDR)为42.7 dB,无杂散动态范围
半导体科技是未来信息和通信技术发展的主要推动力,模拟电子技术是半导体科技的不可或缺的组成部分.文章阐述了受未来信息系统更大处理能力、更高传输能力、更低延时感知等需求的拉动,模拟电子技术在智能化感知和执行、新计算处理架构、高能量效率、整体协同开发平台等方面的几大主要技术发展趋势.讨论了模拟电子技术在晶体管、电路、模拟学习架构、先进工艺技术等基础层面以及通信领域中的重要研究方向.该综述研究显示了未来十年模拟电子关键技术的发展轮廓.
峰均比的持续增大使得无线通讯终端需要更高功率、更高效率、更高频率的功率放大器,而现有模拟功放作为基站全数字化最后一道屏障,其效率和输出功率不足以满足现在无线通讯的需求.GaN数字功率放大器作为一种工作在开关状态的数字功放,具备高输出功率、高速、高效率的优势,是实现全数字化基站的关键之一.GaN数字功放在高峰均比输入时仍能以较高效率工作,从而弥补模拟功放在高峰均比输入时效率下降的不足.文章简述了GaN数字功率放大器的工作原理,总结了近期国内外技术进展及其面临的挑战,阐述了未来GaN数字功率放大器的发展和优化
基于180 nm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种新型的无运放高性能带隙基准电压源.该带隙基准通过共源共栅电流镜技术和负反馈网络来调节参考电压,消除了运放失调电压的不利影响.电路在Cadence Spectre下仿真.仿真结果表明,设计的输出电压为1.228 V;在-40℃至125℃的温度范围内,温度系数为1.47×10-6/℃;在1 kHz时的PSRR约为--86 dB;线性调整率为6.5×10-5/V.