退火温度对BaSn0.94Sb0.06O3 NTC薄膜的影响

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:donglu1116
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采用射频磁控溅射技术成功制备了BaSn0.94Sb0.06O3薄膜,并研究了退火温度对薄膜微观结构及电学性能的影响。薄膜晶体结构呈现(110)晶面取向。在850℃退火中,BaSn0.94Sb0.06O3薄膜的表面粗糙度为0.8nm。该薄膜放在电阻炉(730-850℃)中退火,随着退火温度的升高,薄膜电阻率从426.74Ω·cm急剧下降到31.28Ω·cm。在790-850℃退火时,薄膜呈线性负温度系数(LNTC)热敏电阻。对薄膜进行复阻抗图谱研究。结果表明,随着薄膜退火温度的升高,薄膜
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