【摘 要】
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用248 nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片，衬底采用抛光GaAs(100)。衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理。原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(10
【机 构】
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用248 nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片，衬底采用抛光GaAs(100)。衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理。原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(100)沉积的ZnSe薄膜的平均粗糙度为3～4 nm。X射线衍射(XRD)结果表明ZnSe薄膜(400)峰的半高宽(FWHM)为0.4°～0.5°。对激光烧蚀团束的四极质谱分析表明烧蚀团束主要由Zn，Se和2Se组成，并由此推断ZnSe薄膜的二维生长模式。
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