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用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料,并对材料进行Raman、光致发光(PL)谱的测试分析,结果表明在GaAs/InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移;PL谱峰较强,16 K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰,表明了GaAs外延层的晶体质量较好.以此生长方法制备了金属-半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导可达200 ms/mm.该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平.