【摘 要】
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本文研究了由辉光放电(GD)方法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)钝化膜对于降低集成电路低频噪声的作用。提出了一种较佳化的a-Si:H/SiN复合钝化层结构。实验表明,当频率f
【机 构】
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西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,
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本文研究了由辉光放电(GD)方法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)钝化膜对于降低集成电路低频噪声的作用。提出了一种较佳化的a-Si:H/SiN复合钝化层结构。实验表明,当频率f<10~3Hz时,采用复合钝化层的电路其等效输入噪声电压减少约一个数量级。同时对该复合钝化膜进行了可靠性试验。
In this paper, the effect of a-Si: H passivation film made by glow discharge (GD) method on reducing the low frequency noise of integrated circuits was studied. A better a-Si: H / SiN composite passivation layer structure is proposed. Experiments show that when the frequency f <10 ~ 3Hz, the composite passivation layer of the circuit to reduce the equivalent input noise voltage of about one order of magnitude. At the same time the reliability of the composite passivation film was tested.
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