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采用超短皮秒脉冲激光激发制备了SnO2：F玻璃衬底和石英衬底的cdTe多晶薄膜，在室温下测量其稳态和瞬态荧光光谱。结果表明，随着激发功率的增大，其荧光光谱峰逐渐展宽．并发生蓝移。对于退火处理的样品，其荧光光谱伴随主峰旁出现一个肩峰，是cl原子与富cd区存在的空位形成复合体引起的发射。其瞬态荧光光谱寿命呈双指数衰减，即表面效应所引起的慢过程和带边激子态发射的快过程组成。样品退火处理后荧光寿命变长，有利于电子．空穴对在复合发光前分离，提高电子空穴的迁移率，改善其光伏性能。