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为了降低MOCVD外延生长Si基CaN的缺陷密度，尝试引入超晶格插入层。界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错。即使超晶格本身也产生位错，但位错的产生率比阻挡率低，所以超晶格总体起阻挡作用，可以减少后续生长的HT-GaN（高温氮化镓）的位错密度。研究了超晶格厚度对HT-GaN的位错密度的影响，比较了超晶格厚度不同的3个样品，并采用高分辨双晶X射线衍射（DCXRD）对GaN进行结晶质量的分析，分别用H2PO4＋H2SO4混合溶液和熔融KOH对样品进行腐蚀并用扫描电子显微镜（SEM）对腐蚀的