【摘 要】
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采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at%的ZnO纳米管,室温光致发光谱（PL）显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射（UV NBE）从纯ZnO的3.26 eV红移到3.20 eV附近。应用基于密度
【机 构】
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西安建筑科技大学材料科学与工程学院,西安建筑科技大学机电工程学院
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采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at%的ZnO纳米管,室温光致发光谱（PL）显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射（UV NBE）从纯ZnO的3.26 eV红移到3.20 eV附近。应用基于密度泛函理论研究锯齿型（9,0）ZnMO（M=Cd,Mg）单壁纳米管的电子结构。分析发现Cd掺杂纳米管与薄膜相似,能隙随掺杂量增加逐渐减小,出现红移;而Mg掺杂纳米管则不同,能带变化没有规律性。
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