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采用金属催化化学腐蚀方法在单晶硅表面制备了有序的纳米线阵列。研究了纳米线长度与腐蚀时间之间的关系。发现纳米线长度随着腐蚀时间的增加而增大。测试了所制备的具有纳米线阵列的硅表面在近红外1000nm～2500nm范围内的减反射性能。测试结果表明，与未处理的光滑硅表面相比，具有纳米线阵列的表面的反射率大辐降低；并随着纳米线长度的增加，反射率减小。