InAsSb thick epilayers applied to long wavelength photoconductors

来源 :矿物冶金与材料学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gxblackjack

【摘要】

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有比 8 m 长的截止波长的 InAs0.052Sb0.948 epilayers 成功地在使用的底层融化的 InAs 上被种取向附生(我) 。扫描在 epilayers 和底层之间的接口是扁平的电子显微镜学观察

【作者】

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Yu-zhu Gao Xiu-ying Gong Guang

【机构】

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SchoolofElectronicsandInformationEngineering,HuaxingInfraredDeviceCo.,HamamatsuPhotonicsK.K.,Researc

【出处】

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矿物冶金与材料学报：英文版

【发表日期】

：

2013年4期

【关键词】

：

外延层 INASSB 长波长光导鼓锑化铟探测器扫描电子显微镜应用外延生长 semiconducting indium compounds thick

【基金项目】

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AcknowledgementsThis work was financially supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 60777022） and the Fundamental Research Funds for the Central Universities.

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有比 8 m 长的截止波长的 InAs0.052Sb0.948 epilayers 成功地在使用的底层融化的 InAs 上被种取向附生(我) 。扫描在 epilayers 和底层之间的接口是扁平的电子显微镜学观察表演，显示 epilayers 的 epilayers，和厚度的好质量是 40 m。光电导体用我种的 InAs0.052Sb0.948 厚 epilayers 被制作。Ge 光透镜被放在光电导体上。在房间温度， photoresponse 波长范围是 210 m。山峰 detectivity D

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